nanoCVD石墨烯/CNT合成装置THERMOCERA

nanoCVD石墨烯/CNT合成装置THERMOCERA

nanoCVD石墨烯/CNT合成装置THERMOCERA

薄膜实验装置紧凑型系列，nanoCVD石墨烯/CNT合成装置，nanoCVD-8G，nanoCVD-8N，石墨烯/碳纳米管合成仪，nanoPVD-S10A磁控溅射装置，nanoPVD-T15A有机膜/金属膜沉积装置，nanoETCH Model.ETCH5A软蚀刻设备，nanoEM高真空EM镀膜设备

产品介绍

nanoCVD石墨烯/CNT合成装置

每批只需30分钟，即可轻松合成高质量石墨烯和碳纳米管

CVD法（化学气相沉积）

CVD法是一种稳定的技术，已经被建立用于多种用途，并且是考虑未来大规模合成石墨烯和CNT时最现实的方法。我们就在这里。制造商 Moorfield 与英国国家研究院合作多次验证了该沉积测试设备。在研究机构的合作下，已经证实可以利用拉曼光谱、SEM、AFM等分析数据来创建高质量的石墨烯和碳纳米管样品。

冷壁CVD

采用冷壁式/高温样品加热台（热板），反应速度快，重现性好。设备紧凑，处理时间短，可操作性优良，可创建并保存30种合成配方。除了标准的系统配置外，我们还可以根据要求定制设备配置。纳米CVD系统虽然很小，但却是一个具有无限可能性的实验装置，为基础研究和开发领域做出了贡献。

特征

石墨烯/碳纳米管（SWNT）沉积实验可以轻松进行，无需使用大型设备。

每批只需30分钟！

冷壁法高效高精度过程控制

快速升温：RT→1100℃/约3分钟

高性能机器，具有高精度温度流量控制和出色的再现性

操作简单！通过5英寸触摸屏进行操作和配方管理

最多可以创建和保存 30 个配方和 30 个步骤的合成程序。

标配专用软件，CSV 文件输出 PC 上的数据记录

USB线连接，PC端创建的菜谱可上传至设备

nanoPVD-S10A磁控溅射装置

高性能RF/DC磁控溅射设备

连续多层镀膜、双源同时镀膜、APC自动压力控制

极限压力：5 x10-5 帕斯卡

多达 3 个源 Φ2" 磁控管阴极

自动多层连续薄膜，可同时薄膜沉积

直观操作 多功能软件“Intellidep”

用于连接 Windows PC 的远程软件“IntelliLink”

高性能RF/DC磁控管型溅射设备。虽然它很小，但它是一种满足追求高性能而又不影响薄膜质量（例如一般金属薄膜、绝缘体和化合物）的用户的设备。支持多达 3 源阴极、多层连续薄膜和同步沉积（*仅限 RF 和 DC 组合）。有许多选项，例如加热器、旋转/升降、磁性材料阴极以及使用电容压力计的高精度压力控制。

nanoPVD-T15A有机膜/金属膜沉积装置

紧凑、高性能、

高性能有机膜和金属膜沉积设备

Φ2英寸?Φ4英寸板

紧凑尺寸：804(W) x 560(D) x 600(H)mm

是一款高性能的“有机膜/金属膜气相沉积”设备。采用Moorfield的有机沉积源“LTE1”和金属材料沉积源“TE1-Box屏蔽型”，具有优异的温度响应性、稳定性和再现性。适用于OLED、OPV、OTFT等有机薄膜沉积以及金属材料沉积。一种多功能设备，最多可配备2个金属气相沉积源和最多4个有机气相沉积源，还可以进行自动连续多层沉积和同时沉积。